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晶振系列

首頁應(yīng)用案例網(wǎng)絡(luò)設(shè)備NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器

    NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器

  • 規(guī)格型號:11577488
  • 頻率:9.840MHZ-50.000MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5*075mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于照相機,藍牙耳機,音響,平板電腦,錄像機,收錄機,無線充電等小型化電子數(shù)碼產(chǎn)品。

NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器
參數(shù):頻率范圍9.840MHZ-50.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max. 200μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串聯(lián)電阻:Refer to*1 
尺寸:小型化薄款3.2*2.5*0.75
應(yīng)用:汽車電子領(lǐng)域,無線電話,筆記本電腦,鍵盤鼠標(biāo),智能手機,衛(wèi)星導(dǎo)航等產(chǎn)品。

       日本于2015年6月制定了公司治理準(zhǔn)則,由此我們NDK迎來了兩位外部董事。加大強化相關(guān)經(jīng)營監(jiān)察機能、遵守法律,確保說明責(zé)任,迅速且適當(dāng)?shù)毓夹畔?,履行環(huán)境保全等的社會責(zé)任,而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。
       在ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))所使用的車載相機和倒車?yán)走_、遠程信息處理等用途,晶體元器件的需求也呈現(xiàn)增加的趨勢。因此,我們會開發(fā)TCXO(溫補振蕩器)、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產(chǎn)品并擴大其銷售。

        NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器,從前面的料號可看出這是一款3.2*2.5*0.75mm體積非常小的石英貼片晶振,并且有著四個腳表面陶瓷封裝的石英晶體,壓電陶瓷的用料可有效的控制溫度,在氣溫忽大忽小的時候能將溫度控制在標(biāo)準(zhǔn)的精度之內(nèi),擁有優(yōu)良的耐高溫特性,所以NX3225GA晶振常常用于汽車電子開發(fā)領(lǐng)域,所以也叫汽車電子用晶振。

NDK晶振型號 NX3225GA晶振,進口貼片晶振
頻率范圍 9.840MHZ~50MHZ
頻率公差(25℃) ±20 ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±30 ppm的,可指定
操作溫度范圍 -40-+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動電平 1-200μW(μW100典型)
負載電容 8 pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40-+85℃



1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸石英晶振的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。 
3.激勵功率
石英晶體諧振器上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.    振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

注意事項-振蕩補償.png
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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