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首頁新聞中心 Abracon硅振蕩器為差分系列晶振樹立新標(biāo)準(zhǔn)ASTMUPLPV-125.000MHZ-LY-E-ND

Abracon硅振蕩器為差分系列晶振樹立新標(biāo)準(zhǔn)ASTMUPLPV-125.000MHZ-LY-E-ND

來源:http://m.hhamai.cn 作者:金洛鑫 2023年07月12

如今,硅振蕩器為開發(fā)人員和供應(yīng)鏈管理人員提供了現(xiàn)代元件應(yīng)該具備的一切功能。極端的多功能性、極端的堅(jiān)固性和壽命,MTBF超過5億小時,極端的精度與非常小的外殼和非常低的價格相結(jié)合。
Abracon硅振蕩器是石英晶體振蕩器的直接替代產(chǎn)品,甚至可以在不重新設(shè)計(jì)電路板的情況下使用。除了節(jié)省成本,用戶還受益于30倍的使用壽命和更高的抗沖擊和振動能力,使他們的應(yīng)用更加安全可靠。革命性的超低功耗32.768 kHz XOs和TCXOs封裝尺寸分別為1.5 x 0.8 mm和2.0 x 1.6 mm,功耗極低,小于1 A,在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定度從5 ppm開始,通過降低幅度可以進(jìn)一步降低功耗,使其完全適應(yīng)應(yīng)用。鑒于其極低的功耗,VDD范圍為1.2至3.63的振蕩器系列非常適合電池供電應(yīng)用,如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、GPS、RTC、P時鐘、智能計(jì)量、智能住宅、智能手機(jī)、平板電腦、健康和保健監(jiān)控器、運(yùn)動攝像機(jī)、無線鍵盤、工業(yè)(即使在高環(huán)境溫度下)、嵌入式計(jì)算、消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車等。
最小功耗
0.2至137 MHz頻率范圍內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)低功耗XO以其極低的價格、極低的功耗、非常精確的標(biāo)準(zhǔn)頻率穩(wěn)定性(在-40/+85°C時為20 ppm)和出色的抖動值而脫穎而出。這類EMI性能比同類石英振蕩器好54倍。VDD范圍為1.5至3.63石英振蕩器在137 MHz時的功耗為4.8 mA。在類似條件下,石英基XO消耗約40 mA。在1至110 MHz范圍內(nèi),功耗僅為3.4 mA,另外還具有省電停止功能。在待機(jī)模式下,標(biāo)準(zhǔn)外殼(2.0x 1.6;2.5 x 2.03.2 x 2.55.0 x 3.2和7.0 x 5.0 mm)僅為0.6 A。對于新設(shè)計(jì),Abracon晶振建議使用2.0 x 1.6 mm或2.5 x 2.0 mm外殼中的系列,因?yàn)檫@些外殼比相同尺寸的石英振蕩器或5.0 x 3.2 mm或7.0 x 5.0 mm的較大陶瓷外殼中的石英振蕩器更實(shí)惠。此外,可以在這些外殼中創(chuàng)建與其他振蕩器變體的交叉應(yīng)用(例如,具有低功率擴(kuò)頻的低功率振蕩器)。
一個振蕩器,兩個頻率
極具創(chuàng)新性的Abracon晶體振蕩器系列沒有問題。它們可以輸出1至110 MHz頻率范圍內(nèi)的兩種頻率,可通過頻率選擇引腳進(jìn)行選擇??烧{(diào)整的輸出頻率為F0(基頻)或基頻的分頻。從F0,可以產(chǎn)生F0/2、F0/3、F0/4或F0/8的分頻。例如,以太網(wǎng)為50/25 MHz,音頻為24.576/12.288 MHz,視頻為54/27 MHz,CPU為66/33 MHz,USB應(yīng)用為48/24/12 MHz。第一年后老化為1 ppm,因此處于TCXO水平。標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)定性在-20/+70°C范圍內(nèi)為20 ppm,在-40/+85°C范圍內(nèi)為25 ppm,0.8 ps的抖動值當(dāng)然是業(yè)界最佳值。使用LPO-2,可以非常方便地在兩個不同的頻率下多次使用振蕩器,可以在開發(fā)、認(rèn)證、元件、采購和基礎(chǔ)設(shè)施成本方面節(jié)省大量資金。
極低頻率漂移
硅振蕩器技術(shù)產(chǎn)品范圍還包括低成本超高性能振蕩器和高精度/高溫振蕩器。在-40°C至125°C的溫度范圍內(nèi),這些振蕩器提供20 ppm的極低頻率漂移,而AECQ100汽車標(biāo)準(zhǔn)型號在-55°C至125°C的溫度范圍內(nèi)甚至提供25 ppm的頻率漂移,傳統(tǒng)生產(chǎn)的時鐘石英振蕩器不可能達(dá)到這些精度等級。硅振蕩器的可靠性也比石英振蕩器高三十倍。Abracon特別注意到,在非常小的外殼中安裝非常高精度的振蕩器正越來越多地用于“信息娛樂系統(tǒng)”、“車載網(wǎng)絡(luò)”、“碰撞檢測”和“檔位控制”等領(lǐng)域。因此,極高的抗沖擊和抗振動性、極低的頻率穩(wěn)定性值和極低的價格不僅對汽車行業(yè)的客戶極具吸引力。
用于網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算的振蕩器
Abracon的硅振蕩器技術(shù)也為差分晶振XO、VCXOs和VCTCXOs樹立了新的標(biāo)準(zhǔn)。例如,頻率范圍為1至800 MHz的LVPECL和LVDS型號的樣品和小批量樣品可在一天內(nèi)提供。此外:這些振蕩器在0°C至70°C的溫度范圍內(nèi)還具有10 ppm的出色頻率穩(wěn)定性。在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi),抖動值極低,為0.3 ps,因此非常適合IEEE802.3-2005標(biāo)準(zhǔn)的10 GB以太網(wǎng)和電信應(yīng)用。10年后5 ppm的老化小于石英基TCXO的老化。因此,這些振蕩器適合網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算、服務(wù)器和存儲應(yīng)用、SONET、SATA、SAS、PCI-Express、路由器、全緩沖DIMM和光纖產(chǎn)品等應(yīng)用。這個地區(qū)的樣品和小批量產(chǎn)品可以在一天內(nèi)送到。
寬頻譜 
VCXOs在1.0至625 MHz的高頻譜中表現(xiàn)突出,拉高范圍高達(dá)1600 ppm。也可以選擇-40/+85°C范圍內(nèi)10 ppm至50 ppm的頻率穩(wěn)定性,其中10年后的長期老化為5 ppm。同樣,對于VCXOs,以及VCTCXOs和Stratum-3振蕩器,人們關(guān)注的是出色的抖動性能、極高的魯棒性和極低的價格。
擴(kuò)頻振蕩器
硅振蕩器技術(shù)產(chǎn)品系列由1至220 MHz標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍內(nèi)的低功耗高性能擴(kuò)頻振蕩器組成。中心擴(kuò)展范圍為0.125%至2.0 %,而向下擴(kuò)展范圍為-0.25%至-4 %,這意味著這類晶振適用于電信應(yīng)用、掃描儀、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、接口控制器、顯卡、PCI、CPU、機(jī)頂盒、LCD和所有其他EMC關(guān)鍵應(yīng)用。VDD范圍是1.8到3.63伏直流電。擴(kuò)頻振蕩器提供2.5 x 2.0 mm至7.0 x 5.0 mm的外殼,其中2.5 x 2.0 mm的外殼因其非常優(yōu)惠的價格而推薦用于新開發(fā)。
擴(kuò)散函數(shù)
在某些版本中,也可以禁用跨頁。在-40/+85°C溫度范圍內(nèi),無擴(kuò)展時的頻率穩(wěn)定度為25 ppm,周期間抖動極低,為30 ps。因此,開發(fā)人員可以選擇啟用定義的跨頁。這大大降低了開發(fā)、元件、存儲和采購的成本,因?yàn)橥徽袷幤骺梢杂糜谠S多不同的客戶應(yīng)用,無論有無擴(kuò)展。像硅振蕩器產(chǎn)品系列中的所有其他產(chǎn)品一樣,擴(kuò)頻振蕩器產(chǎn)品組提供了幾乎無限的應(yīng)用可能性。
為什么要替代石英?
一個2.0×1.6mm低成本硅振蕩器可以為多個IC提供時鐘。在1至220 MHz的頻率范圍內(nèi),其頻率穩(wěn)定性在-40至+85°C范圍內(nèi)最大為20 ppm,在-55至+125°C范圍內(nèi)最大為25 ppm。沒有石英晶振可以做到這一點(diǎn)!2.0 × 1.6 mm石英晶體的工作頻率僅為20 MHz,2.5 × 2.0 mm外殼的工作頻率僅為12 MHz。根據(jù)外殼和頻率的不同,這些微型SMD石英晶體的電阻為250至60歐姆(12至64 MHz)。根據(jù)每天進(jìn)行的客戶電路分析,Abracon的應(yīng)用工程師經(jīng)常注意到,要計(jì)時的振蕩器級的負(fù)輸入電阻不夠高,無法通過這些非常小的高歐姆石英晶體實(shí)現(xiàn)足夠的啟動可靠性。汽車客戶甚至要求安全系數(shù)大于10!在非汽車應(yīng)用中,由于電阻非常高,非常小的石英晶體也無法實(shí)現(xiàn)足夠大的安全系數(shù)。此外,即使非常小的石英晶體仍然需要至少兩個連接到GND的外部電容,如果不是實(shí)際的外部電阻的話。所有這些都會占用PCB空間,而用戶通常不必留出這些空間,或者在下一個小型化階段將不再需要這些空間。一個2.0 x 1.6 mm的振蕩器幾乎不需要3.2 mm的PCB空間。僅此而已。這種解決方案非常靈活,非常實(shí)惠,壽命非常長,在小型化的下一階段是不可或缺的。另一個需要考慮的因素是通常非常高的驅(qū)動電平,大于400 W至1 mW,甚至更高。許多用戶往往不知道電路中的驅(qū)動電平有多高,因?yàn)闆]有簡單的方法來正確測量這個值。這些高驅(qū)動電平極大地使小石英晶體過載,因此會大大縮短石英晶體的壽命。高驅(qū)動對微振蕩器來說不成問題。只需從振蕩器級將CLC-OUT連接到XIN,就大功告成了。
時鐘專家的好建議
為了盡可能地節(jié)省成本,開發(fā)新項(xiàng)目時首先要考慮的是時鐘。將使用哪些集成電路;如何將它們非常緊密地放置在一起,以便單個微振蕩器可以同時為幾個IC提供時鐘,從而避免需要多個石英晶體和石英振蕩器?如何避免EMC干擾?Abracon的應(yīng)用工程師可以通過提供建議和幫助來提供幫助,并且可以向客戶展示和提供來自極其廣泛和深入的產(chǎn)品范圍的最佳產(chǎn)品解決方案的樣品。

基于高度創(chuàng)新的硅振蕩器技術(shù),Abracon擁有非常廣泛的不同振蕩器,如超低功耗振蕩器、超高性能低功耗振蕩器、高溫低功耗振蕩器、差分XO、vcxo和vctcxo高達(dá)800 MHz、vcxo、vctcxo、Stratum-3振蕩器和擴(kuò)頻振蕩器。高度創(chuàng)新的振蕩器解決方案的頻率范圍為1 Hz至800 MHz,溫度范圍為-55°C至125°C,具體取決于器件。
憑借最高質(zhì)量和極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品,結(jié)合非常廣泛的技術(shù)服務(wù)和定價目錄以及適應(yīng)供應(yīng)鏈的物流系統(tǒng),以及卓越的產(chǎn)品質(zhì)量,Abracon將繼續(xù)鞏固其作為頻率確定元件專業(yè)合作伙伴的地位,并為其客戶提供極短的上市時間以及開發(fā)、認(rèn)證、元件、收購和基礎(chǔ)設(shè)施方面的成本降低。

原廠編碼 品牌 型號 頻率 輸出 電壓 頻率穩(wěn)定性
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASFLMX-50.000MHZ-5ABB Abracon LLC ASFLMX 50MHz LVDS 2.375 V ~ 3.63 V ±50ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG2-LJ-125.000MHZ-513291 Abracon LLC ASG2-LJ 125MHz LVDS 2.5V ±35ppm
ASG-P-V-A-100.000MHZ Abracon LLC ASG-P 100MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG2-D-X-A-500.000MHZ Abracon LLC ASG2-D 500MHz LVDS 3.3V ±50ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ASG-D-X-A-500.000MHZ Abracon LLC ASG-D 500MHz LVDS 3.3V ±35ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
AST3TQ-V-25.000MHZ-28 Abracon LLC AST3TQ-28 25MHz LVCMOS 3.3V ±280ppb
AST3TQ-V-30.720MHZ-28 Abracon LLC AST3TQ-28 30.72MHz LVCMOS 3.3V ±280ppb
ABLJO-V-125.000MHZ Abracon LLC ABLJO 125MHz LVCMOS 3.3V ±45ppm
ABLNO-V-81.920MHZ Abracon LLC ABLNO 81.92MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-24.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-33.333MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 33.333MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-33.333MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 33.333MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-19.200MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 19.2MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-19.200MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 19.2MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-24.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-24.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-20.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 20MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-20.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 20MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-25.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASDMB-125.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 125MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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ASFLMPLV-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz LVDS 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
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ASDMPLV-200.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMP 200MHz LVDS 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASDMB-3.6864MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 3.6864MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-3.6864MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 3.6864MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
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ASFLMB-12.288MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 12.288MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
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ASFLMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
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ASTMKH-32.768KHZ-LQ-DCC-T Abracon LLC ASTMKH 32.768kHz LVCMOS 1.5 V ~ 3.63 V ±100ppm
ASEMB-74.250MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASEMB 74.25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
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ASEMB-74.250MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASEMB 74.25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
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ASDM1-20.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 20MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-20.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 20MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-20.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 20MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm


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