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超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代購X1G005601028800

來源：http://m.hhamai.cn 作者：diss 2022年10月18
超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代購X1G005601028800，能夠做到持續(xù)成長型的企業(yè)并不多，但偏偏就是這些少數(shù)派里，才有頂尖的技術(shù)以及對自我的高要求高標準，使得其更加能夠在這個激烈的市場斗爭之中存活，愛普生公司有著屬于自身的使命感，通過自身的努力不斷造福于人民，同時也將最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品呈現(xiàn)給用戶，愛普生公司很高興推出了SG-8018CG晶振，貼片石英晶振編碼X1G005601028800，頻率38.400000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC，具有良好的穩(wěn)定性能，非常適合用于5G無線模塊，藍牙模塊，藍牙彩燈控制模塊，OEM-ODM等領(lǐng)域。

超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代購X1G005601028800，愛普生持續(xù)秉承“省、小、精”技術(shù)理念,以綠色科技,為中國用戶提供更多超越期待的有源晶振產(chǎn)品和服務,致力于成為中國消費者心中不可或缺的公司。
Product Number 進口晶振 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005601027700 SG-8018CG 6.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601027800 SG-8018CG 4.608000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601027900 SG-8018CG 33.333333 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028000 SG-8018CG 2.711860 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028100 SG-8018CG 36.532540 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028200 SG-8018CG 42.473240 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028300 SG-8018CG 66.666700 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028400 SG-8018CG 90.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028500 SG-8018CG 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028600 SG-8018CG 110.592000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028700 SG-8018CG 6.553600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028800 SG-8018CG 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028900 SG-8018CG 60.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029000 SG-8018CG 64.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029100 SG-8018CG 28.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029400 SG-8018CG 22.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029500 SG-8018CG 27.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029600 SG-8018CG 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029700 SG-8018CG 7.680000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029800 SG-8018CG 19.440000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029900 SG-8018CG 66.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601030000 SG-8018CG 27.120000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板，構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應。 當在晶片外部的兩個板之間添加電場時，晶體將產(chǎn)生機械變形; 相反，當在板之間施加機械力時，將在晶體中產(chǎn)生電場。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應。
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