Diodes公司（納斯達克股票代碼：DIOD）是一家富有影響力的知名制造商與供應(yīng)商,主要向世界各地用戶提供高可靠性能,高品質(zhì)的晶體振蕩器產(chǎn)品線,所生產(chǎn)出來的每一款產(chǎn)品都必須經(jīng)過嚴(yán)格化的生產(chǎn)體系,匠心打磨而成,并符合認(rèn)證要求。通過自身高品質(zhì)的產(chǎn)品線在眾多品牌中脫穎而出,成為最受歡迎的品牌之一。Diodes是廣泛的分立、邏輯、模擬和混合信號半導(dǎo)體市場中高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的全球領(lǐng)先制造商和供應(yīng)商，今天宣布推出APR346次級側(cè)同步整流 MOSFET 驅(qū)動器，為從交流電源提供 5V 至 20V DC 的離線電源適配器提供更高的效率。亞陶晶振ECERA品牌專用編碼FK2400017是一款低損耗的時鐘振蕩器

FN2500140	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25.000625MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FN2500140	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	25.000625MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
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FN4800068	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	48MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN4800068	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	48MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN4800068	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	48MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FN3330078	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	33.333MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C
FN3330078	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	33.333MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C
FN3330078	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	33.333MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C
FN0200045	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FN	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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NX51500001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	50MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX51500001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	50MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX51500001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	50MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK2400017	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	24MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
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FK2450016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	24.576MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
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FK2450016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	24.576MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FK2500025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK2500025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	25MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

亞陶在有源晶振方面深耕許多年,獲得不錯的成就。APR346設(shè)計為在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM)、非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振模式 (QR) 下運行，用于驅(qū)動外部MOSFET以提供同步整流 (SR) 的優(yōu)勢，提供比基于二極管的次級側(cè)整流更高的性能和效率。SR 現(xiàn)在受到電源適配器制造商的青睞，有望成為筆記本電腦、手機和一系列其他便攜式設(shè)備電源適配器的基礎(chǔ)，其中許多將采用帶 PD（電源傳輸）的 USB Type-C™ 連接器能力。亞陶晶振ECERA品牌專用編碼FK2400017是一款低損耗的時鐘振蕩器

APR346只需要很少的額外組件，并且因為它設(shè)計為與外部 MOSFET一起工作，所以它提供了最大的設(shè)計靈活性。其快速開啟和關(guān)閉時間分別為70ns和100ns（典型值），通過直接感應(yīng)外部MOSFET的漏源電壓并根據(jù)負(fù)載需求快速開啟或關(guān)閉 MOSFET 實現(xiàn)高性能1.6μs（典型值）的內(nèi)置最小導(dǎo)通時間有效地消除了任何潛在的漏極電壓振鈴，以在負(fù)載電流開始流經(jīng)通道時保持高效運行。