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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體

    大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體

  • 規(guī)格型號(hào):40820701
  • 頻率:8.000MHZ-60.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.5
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用在多用途榨汁機(jī),多功能食品加工機(jī),氣體壓縮式電冰箱,四門電冰箱,家庭中央空調(diào)等家用電器.

大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-60.000MHZ
激勵(lì)電平: 50μW (Max. 500μW )
負(fù)載電容: 8PF,10PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-15ppm,
+/-20ppm,+/-30ppm,+/-50ppm
捆包單位:3000pcs/捆
尺寸:薄型重量輕5.0*3.2*1.5mm
應(yīng)用:AV設(shè)備,多功能車載系統(tǒng),兒童多用途智能玩具,智能手環(huán),多功能遙控器等產(chǎn)品。

       公司以提高用戶滿意度為目標(biāo),不斷推進(jìn)集團(tuán)整體業(yè)務(wù)的發(fā)展。讓用戶滿意,就是讓使用裝有本公司產(chǎn)品的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等電子設(shè)備的廣大用戶滿意。我們深知這一點(diǎn),因而更加努力向目標(biāo)邁進(jìn)。由于小型水晶晶振在信息通信中是必不可少的部件,因此上述理念已深深植入于本公司每個(gè)員工的心中。
     小型元器件找RIVER”的用戶評(píng)價(jià)和信賴,是RIVER ELETEC保持行業(yè)領(lǐng)先地位的動(dòng)力, 難度越高,就越發(fā)使他人難以企及,這正是領(lǐng)跑者引以為豪的地方,在石英晶振的小型化方面,公司是一直處于領(lǐng)先地位的優(yōu)秀企業(yè)。


      大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶體出自日本晶振企業(yè)大河株式會(huì)社在中國西安設(shè)立的附屬公司,采用天然無鉛樹脂材料,符合歐盟ROHS的Pb Free規(guī)定標(biāo)準(zhǔn),響應(yīng)全球環(huán)保號(hào)召,因此受到國際電子市場的廣泛使用,加上FCX-03晶振的體積只有5.0*3.2*1.5mm大小,能為產(chǎn)品減少許多空間,實(shí)現(xiàn)時(shí)尚小型化的產(chǎn)品理念。

大河晶振型號(hào) FCX-03晶振,石英水晶振子
頻率范圍 8.000MHZ~60.000MHZ
頻率公差(25℃) ±15 ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±50 ppm的,可指定
操作溫度范圍 -40-+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 1-500μW(μW500典型)
負(fù)載電容 8pF,10pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -40-+85℃



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果SMD晶振已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶體諧振器。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。


1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加無源晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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